MSP10065V1 Remplacement de diode au carbure de silicium pour unité d'alimentation
Présentation de la diode SiC MSP10065V1 10A 650V 1,5V
Technologie avancée pour des performances plus efficaces et fiables
La diode SiC MSP10065V1 10A 650V 1.5V, utilisant la technologie TO-220 package, est la solution idéale pour ceux qui veulent un composant efficace et robuste pour leur PFC / onduleur de puissance / convertisseur,alimentation en électricitéAvec ses capacités de commutation à grande vitesse, il offre une réduction significative des pertes de commutation,contribuant à une efficacité globale accrue par rapport aux alternatives aux diodes de silicium.
Le comportement unique de commutation indépendant de la température et les temps de récupération plus rapides garantissent de meilleures performances,tandis que le coefficient de température positif sur VF assure une marge de sécurité plus élevée contre la surtensionEn outre, la diode SiC MSP10065V1 10A 650V 1.5V peut fonctionner à des fréquences plus élevées et avec des temps de récupération plus courts,réduction des exigences en matière de dissipateurs de chaleur et prévention de la fuite thermique pour les dispositifs parallèlesFaites confiance à la diode SiC MSP10065V1 10A 650V 1.5V pour une performance fiable et efficace.
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Numéro de pièce |
Le nombre de points de contrôle est le suivant: |
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Catégorie |
Réducteur de diode Schottky |
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Le paquet |
TO-220 |
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Température de cristallisation |
175°C |
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Actuel |
10A |
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Voltage |
Pour les appareils électroniques |