IRF1407 75V HEXFET de puissance à N-canal unique dans une puce de remplacement de l'unité d'alimentation TO-220AB
Catégorie:
puce électronique d'IC
Dans-actions:
En stock
Prix:
negotiable
Les spécifications
Type:
Transistor MOSFET
Type de paquet:
Dans tout le trou
Application:
Alimentation d'énergie
Température de fonctionnement:
-45 à +125
Paquet/cas:
TO-220AB
Type de FET:
Canal de N
Vidangez à la tension de source (Vdss):
75V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C:
130,0 A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:
7,8 mOhms
Identification de Vgs (Th) (maximum) @:
3,0 V 2,0 V 4,0 V
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:
160,0 OR
Introduction
IRF1407 75V HEXFET de puissance à N-canal unique dans un ensemble TO-220AB
Caractéristiques:
- Structure de cellule plane pour une SOA large
- Optimisé pour une plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
- Qualification du produit selon la norme JEDEC
- Silicium optimisé pour les applications à commutation inférieure à 100 kHz
- Paquet d'alimentation par trou standard de l'industrie
- Paquet de capacité de charge de courant élevé (jusqu'à 195 A, en fonction de la taille de la matrice)
- d'une épaisseur n'excédant pas 10 mm
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Paramètres |
IRF 1407 |
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ID (@25°C) maximum |
130.0 A |
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Montage |
THT |
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Ptot max |
330.0 W |
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Le paquet |
TO-220 |
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Polarité |
N |
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QG (type @10V) |
160.0 nC |
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Qgd |
54.0 nC |
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RDS (allumé) (@10V) max |
70,8 mOhms |
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RthJC max |
0.45 K/W |
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Tj max |
1750,0 °C |
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VDS max |
75.0 V |
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VGS ((th) min max |
3.0 V 2,0 V 4,0 V |
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VGS max |
20.0 V |
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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces:
1