Envoyer le message
Maison > produits > puce électronique d'IC > Transistor MOSFET 600V 61.8A 400W de N-canal de TK62N60W K62N60W par le remplacement d'unité d'alimentation d'énergie du trou TO-247 IC

Transistor MOSFET 600V 61.8A 400W de N-canal de TK62N60W K62N60W par le remplacement d'unité d'alimentation d'énergie du trou TO-247 IC

Catégorie:
puce électronique d'IC
Dans-actions:
En stock
Prix:
negotiable
Les spécifications
Type:
Transistor MOSFET
Température de fonctionnement:
-45 à +140
Montage du type:
Par le trou
Paquet/cas:
TO-247
Type de FET:
N-canal
Caractéristique de FET:
Jonction superbe
Vidangez à la tension de source (Vdss):
600 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C:
61.8A (ventres)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:
40mOhm @ 30.9A 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @:
3.7V @ 3.1mA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:
180 OR @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:
6500 PF @ 300 V
Introduction

Promouvez votre mineur d'ASIC avec un FET original de Toshiba K62N60W

L'à haute tension, solution de Haut-ampérage pour votre mineur Control Board

 

Regard pour fixer votre tableau de commande de mineur d'ASIC ? Le transistor MOSFET de rechange du bloc alim. K62N60W de Bitmain de Toshiba original est la solution parfaite. Avec ses capacités à haute tension et de haut-ampérage, ce FET peut confortablement manipuler des courants de jusqu'à 600V et à 62A, lui faisant une option fiable et sûre pour vos réparations. Ce transistor est RoHS conforme, lui faisant une solution viable pour tous vos besoins de réparation.

 

Sa polyvalence est inégalée, car elle est utilisée généralement dans le matériel de transmission, réseaux de câble, EPOS, PCs, et ordinateurs portables. Avec une large température ambiante de -40°C à 105°C, le transistor est construit pour durer, lui faisant une solution fiable et rentable. Et grâce à son TO-247 paquet, il est compact et facile de manipuler. Promouvez votre mineur d'ASIC aujourd'hui avec un FET original de Toshiba K62N60W, et appréciez les performances et la fiabilité inégalées.

 

 

Catégorie

Produits semiconducteurs discrets

Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples

Paquet

Tube

Statut de partie

Actif

Type de FET

N-canal

Technologie

Transistor MOSFET (oxyde de métal)

Vidangez à la tension de source (Vdss)

600 V

Actuel - drain continu (identification) @ 25°C

61.8A (ventres)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs

40mOhm @ 30.9A, 10V

Identification de Vgs (Th) (maximum) @

3.7V @ 3.1mA

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs

180 OR @ 10 V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds

6500 PF @ 300 V

Caractéristique de FET

Jonction superbe

Dissipation de puissance (maximum)

400W (comité technique)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Montage du type

Par le trou

Paquet de dispositif de fournisseur

TO-247

Paquet/cas

TO-247-3

Nombre bas de produit

TK62N60

Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces:
1