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Puce d'IC d'alimentation d'énergie du transistor MOSFET TPHR8504, bloc alim. TPHR8504PL de la Manche de 40 volts N

Catégorie:
puce électronique d'IC
Dans-actions:
En stock
Prix:
negotiable
Les spécifications
Type:
Transistor MOSFET
Type de paquet:
Bâti extérieur
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
40V
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
150A
Puissance - maximum:
170W
Température de fonctionnement:
-55 à +175 C
Paquet/cas:
SOP-8
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:
850 uOhms
Identification de Vgs (Th) (maximum) @:
1,4 V
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:
103 OR
Mettre en évidence:

Puce d'IC d'alimentation d'énergie de transistor MOSFET

,

Puce d'IC d'alimentation de l'énergie TPHR8504

,

TPHR8504PL

Introduction

Amplifiez votre représentation de convertisseurs de DC-DC avec le FET de N-canal du transistor MOSFET TPHR8504PL 40V de bloc alim. de Bitmain

Découvrez l'idéal à haute efficacité de transistor MOSFET pour l'étendue des applications large

 

Améliorez vos performances de convertisseur de DC-DC avec le FET de N-canal du transistor MOSFET TPHR8504PL 40V de bloc alim. de Bitmain. Ce transistor MOSFET de N-canal de silicium avec la dernière technologie assure la capacité de changement ultra-rapide, lui faisant un grand choix pour différentes applications. Il comporte la petite charge de porte et le bas courant de fuite lui permettant de fonctionner efficacement et sûrement. Vous pouvez faire confiance à ce transistor MOSFET pour travailler sans faute dans une température ambiante large - de 55°C à 175°C (TJ), garantissant des performances exceptionnelles dans les environnements divers. Obtenez le vôtre maintenant, et éprouvez un surclassement dans la sortie de votre convertisseur de DC-DC.

 

 

Catégorie de produit

Transistor MOSFET

Technologie

SI

Montage du style

SMD/SMT

Paquet/cas

SOP-8

Polarité de transistor

N-canal

Nombre de canaux

La 1 Manche

Vds - tension claque de Drain-source

40 V

Identification - courant continu de drain

150 A

Le RDS sur - la résistance de Drain-source

850 uOhms

Vgs - tension de Porte-source

- 20 V, + 20 V

Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source

1,4 V

Qg - charge de porte

103 OR

Température de fonctionnement minimum

- 55 C

Température de fonctionnement maximum

+ 175 C

Palladium - dissipation de puissance

170 W

Mode de la Manche

Amélioration

Configuration

Simple

Taille

0,95 millimètres

Longueur

5 millimètres

Série

U-MOSIX-H

Type de transistor

1 N-canal

Largeur

5 millimètres

Temps de chute

14 NS

Type de produit

Transistor MOSFET

Temps de montée

13 NS

Temps de retard d'arrêt typique

63 NS

Temps de retard d'ouverture typique

26 NS

Poids spécifique

0,002926 onces

 

 

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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces:
1