Transistor MOSFET extérieur IC, BVDSS 25V-30V DMP34M4SPS-13 de la Manche du bâti 135A P
Transistor MOSFET extérieur IC de la Manche du bâti P
,transistor MOSFET IC de la Manche de 135A P
,DMP34M4SPS-13
Amplifiez la représentation de votre dispositif avec le P-canal 30V 34A 8SOP de transistor MOSFET de DMP34M4SPS TPCA8128
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Si vous regardez pour amplifier les performances de votre ordinateur portable et pour améliorer sa vie de batterie, vous avez besoin du transistor MOSFET de DMP34M4SPS. Conçu avec les matériaux de haute qualité, ce transistor MOSFET de P-canal avec un 30V, la capacité 21A est la solution finale pour votre dispositif. Avec des performances de changement exceptionnelles et le RDS réduit au minimum (DESSUS), ce transistor MOSFET de DMP34M4SPS garantit de fournir l'efficacité maximum chaque fois que vous l'employez. Si vous devez contrôler les charges de puissance ou de commutateur de la batterie de votre carnet, ce dispositif de dessus-rangée obtiendra le travail réalisé facilement. Optez pour DMP34M4SPS-13, et rendez votre travail d'ordinateur portable plus futé, non plus dur.
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Catégorie de produit |
Transistor MOSFET |
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Technologie |
SI |
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Montage du style |
SMD/SMT |
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Paquet/cas |
PowerDI5060-8 |
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Polarité de transistor |
P-canal |
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Nombre de canaux |
La 1 Manche |
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Vds - tension claque de Drain-source |
30 V |
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Identification - courant continu de drain |
135 A |
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Le RDS sur - la résistance de Drain-source |
2,9 mOhms |
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Vgs - tension de Porte-source |
25 V |
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Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source |
2,6 V |
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Qg - charge de porte |
127 OR |
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Température de fonctionnement minimum |
- 55 C |
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Température de fonctionnement maximum |
+ 150 C |
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Palladium - dissipation de puissance |
3 W |
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Mode de la Manche |
Amélioration |
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Configuration |
Simple |
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Type de transistor |
1 P-canal |
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Temps de chute |
160 NS |
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Type de produit |
Transistor MOSFET |
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Temps de montée |
4 NS |
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Temps de retard d'arrêt typique |
372 NS |
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Temps de retard d'ouverture typique |
6,9 NS |