Puce de transistor MOSFET IC de N-CH BSC0901NSATMA1, 30V 28A 100A TDSON BSC0901NS
Puce de transistor MOSFET IC de N-CH
,BSC0901NSATMA1 puce du transistor MOSFET IC
,BSC0901NS
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Catégorie |
Produits semiconducteurs discrets |
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Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples |
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Paquet |
Bande et bobine (TR) |
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Statut de partie |
Actif |
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Type de FET |
N-canal |
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Technologie |
Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
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Vidangez à la tension de source (Vdss) |
30 V |
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C |
28A (merci), 100A (comité technique) |
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs |
1.9mOhm @ 30A, 10V |
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @ |
2.2V @ 250µA |
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs |
44 OR @ 10 V |
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Vgs (maximum) |
±20V |
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds |
2800 PF @ 15 V |
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Caractéristique de FET |
- |
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Dissipation de puissance (maximum) |
2.5W (merci), 69W (comité technique) |
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Température de fonctionnement |
-55°C | 150°C (TJ) |
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Montage du type |
Bâti extérieur |
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Paquet/cas |
8-PowerTDFN |
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Nombre bas de produit |
BSC0901 |