Paquet extérieur du bâti 8-SOFL du transistor MOSFET 40V 200A 3.8W 110W de la Manche de NTMFS5C430NL N
NTMFS5C430NL
,Transistor MOSFET de la Manche de 8-SOFL N
,Transistor MOSFET extérieur de la Manche du bâti N
Mise sous tension vos dispositifs avec des transistors MOSFET de NTMFS5C430NL
Pertes performantes et de bas-conduction pour l'électronique efficace
Recherchez-vous un transistor MOSFET fiable et efficace pour vos dispositifs ? Ne regardez pas autre que le transistor MOSFET simple de puissance de NTMFS5C430NL N−Channel. Avec son bas RDS (dessus) et la basse capacité d'entrée, ce transistor MOSFET assure des pertes minimales de conduction et des pertes de changement pour vos commandes performantes de convertisseurs de DC-DC, de moteur de C.C, point des programmes exécutables et d'autres dispositifs. Avec un facteur de forme compact de 5mm*6mm, ce transistor MOSFET est puissant et qui fait gagner de la place. Plus, c'est RoHS conforme et peut manipuler une température de jonction maximum de 175°C. N'arrangez pas pour les transistors MOSFET moins efficaces, puissance vos dispositifs avec le NTMFS5C430NL.
|
Numéro de la pièce. |
NTMFS5C430NL |
|
Catégorie |
Transistor MOSFET |
|
Tension de Drain−to−Source |
40V |
|
Tension de Gate−to−Source |
±20V |
|
Drain continu RJC actuel (comité technique = 25°C) |
200A |
|
Drain continu RJC actuel (comité technique = 100°C) |
140A |
|
Dissipation de puissance RJC (comité technique = 25°C) |
110W |
|
Dissipation de puissance RJC (comité technique = 100°C) |
53W |
|
Drain continu RJA actuel (MERCI = 25°C) |
38A |
|
Drain continu RJA actuel (MERCI = 100°C) |
27A |
|
Dissipation de puissance RJA (MERCI = 25°C) |
3.8W |
|
Dissipation de puissance RJA (MERCI = 100°C) |
1.9W |
|
Courant pulsé de drain |
900A |
|
Jonction et température de stockage fonctionnantes |
−55 à +175°C |
|
Courant de source (diode de corps) |
120A |