transistor bipolaire de 40V 4A DSS5540X-13, transistor extérieur de bâti de 60MHz SOT-89-3 PNP
transistor 4A bipolaire
,Transistor DSS5540X-13 bipolaire
,transistor extérieur du bâti 60MHz
Haut-exécution du transistor d'ASIC pour le panneau de gâchis d'Antminer L3+ S9
Améliorez votre puissance de extraction avec le transistor bipolaire de DSS5540X ZPS54
Améliorez votre matériel de extraction de cryptocurrency avec le transistor bipolaire puissant de DSS5540X ZPS54. Spécifiquement conçu comme substitut pour le « 6040" les transistors trouvés sur le panneau de gâchis d'Antminer L3+ S9, ce transistor a une basse tension de saturation de collecteur-émetteur, le rendant idéal pour des applications de puissance moyenne. Avec des capacités automatisées d'assemblée, c'est un grand choix pour ceux qui veulent optimiser leur production minière. Amplifiez votre puissance de extraction et élevez votre rentabilité avec le transistor bipolaire de DSS5540X ZPS54.
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Catégorie |
Produits semiconducteurs discrets |
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Transistors - bipolaires (BJT) - simples |
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Paquet |
Bande et bobine (TR) |
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Statut de partie |
Actif |
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Type de transistor |
PNP |
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Actuel - collecteur (IC) (maximum) |
4 A |
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Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) |
40 V |
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Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC |
375mV @ 500mA, 5A |
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Actuel - coupure de collecteur (maximum) |
100nA (ICBO) |
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Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce |
150 @ 2A, 2V |
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Puissance - maximum |
900 mW |
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Fréquence - transition |
60MHz |
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Température de fonctionnement |
-55°C | 150°C (TJ) |
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Montage du type |
Bâti extérieur |
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Paquet/cas |
TO-243AA |
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Nombre bas de produit |
DSS5540 |