Efficace et fiable : Le transistor de haute puissance de BUP314D

Le pour - et - le contre d'utiliser le transistor de BUP314D dans vos projets de l'électronique

Recherche d'un transistor de haute puissance pour employer dans votre prochain projet de l'électronique ? Ne regardez pas autre que le BUP314D. Ce transistor efficace et fiable offre une dissipation de puissance maximum de 525 watts et un courant de collecteur maximum de 40 ampères, lui faisant un choix idéal pour les applications de changement de haute puissance qui ont besoin de des périodes de changement rapides. Quand il s'agit de pour d'employer le BUP314D, son efficacité et sérieux sont deux de ses plus grands avantages.

Grâce à sa consommation de puissance faible, ce transistor peut aider à réduire la consommation d'énergie globale d'un système de l'électronique, lui faisant une option plus favorable à l'environnement. En plus, la représentation fiable de BUP314D et la conception robuste signifient qu'elle peut résister à des hautes températures et à des conditions de fonctionnement dures sans éprouver l'échec ou la dégradation. Tandis que le BUP314D offre de nombreux avantages, il y a quelques inconvénients potentiels à considérer aussi bien. Une escroquerie potentielle est que ce transistor peut être plus cher que quelques autres options de haute puissance sur le marché, qui pourrait le rendre moins rentable pour certains projets. En plus, sa dissipation de puissance élevée et courant de collecteur peuvent être surpuissants pour quelques applications, la rendant inutilement grande et encombrante.

De façon générale, le BUP314D est un transistor de dessus-exécution qui offre la représentation efficace et fiable pour des applications de changement de haute puissance. Si vous établissez un nouveau projet de l'électronique à partir de zéro ou améliorez existant, ce transistor puissant est certainement intéressant considérer.

Détails techniques :

• Fabricant : Infineon
• Catégorie de produit : Transistors d'IGBT
• Technologie : SI
• Paquet/cas : TO-218-3
• Montage du style : Par le trou
• Configuration : Simple
• Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum : maximum de 1,2 kilovolts
• Tension d'émetteur de porte : - 20 V, de + minimum 20 V
• Température de fonctionnement : - 55 C
• Température de fonctionnement maximum : + 150 C
• Emballage : Tube
• Marque : Infineon Technologies
• Courant de collecteur continu IC maximum : 42 A
• Taille : 12.5mm
• Longueur : 15mm
• Type de produit : Transistors d'IGBT
• Sous-catégorie : IGBTs
• Largeur : 4,9 millimètres