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Puissance élevée de module de transistor de FP150R07N3E4_B11 IGBT pratique

Catégorie:
Module de transistor d'IGBT
Dans-actions:
En stock
Prix:
negotiable
Les spécifications
Numéro de la pièce:
FP150R07N3E4_B11
MARQUE:
INFINEON
Type:
Module d'IGBT
Caractéristiques:
De haute puissance
Condition:
Nouveau
original:
OUI
Mettre en évidence:

Module de transistor de FP150R07N3E4_B11 IGBT

,

Module de transistor de la puissance élevée IGBT

,

Module pratique de la puissance élevée IGBT

Introduction

Module de haute puissance d'IGBT

Amplifiez votre projet de l'électronique avec le FP150R07N3E4_B11

 

Le FP150R07N3E4_B11 est un module de haute puissance d'IGBT qui est parfait pour amplifier votre projet de l'électronique. Avec un résultat puissant de 150A et de 650V, ce module d'IGBT peut manipuler des applications de haute puissance facilement. Voici une partie du pour - et - le contre du FP150R07N3E4_B11 :

 

Le pour :

- La puissance de sortie élevée le rend idéal pour des applications exigeantes

- La haute fréquence de changement tient compte de rapide et du fonctionnement efficace

- Aides intégrées de capteur de température empêcher surchauffe

- La conception robuste assure l'opération fiable même dans les environnements durs

 

Le contre :

- Un coût plus élevé a comparé à de plus petits modules d'IGBT

- La taille encombrante peut ne pas être idéale pour des projets compacts en dépit de son coût plus élevé et la taille encombrante, le FP150R07N3E4_B11 offre la représentation imbattable pour des applications de haute puissance. Sa conception robuste et capteur de température intégré lui font un choix fiable pour des projets de l'électronique.

 

Si vous êtes un enthousiaste de DIY ou un ingénieur électronicien professionnel, le FP150R07N3E4_B11 est un excellent choix pour amplifier votre prochain projet.

 

Caractéristiques :

  • Catégorie de produit : Modules d'IGBT
  • RoHS : Détails
  • Produit : Modules de silicium d'IGBT
  • Configuration : inverseur triphasé
  • Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum : 650 V
  • Tension de saturation de collecteur-émetteur : 1,55 V
  • Courant de collecteur continu à 25 C : 150 A
  • Courant de fuite de Porte-émetteur : Na 400
  • Palladium - dissipation de puissance : 430 W
  • Température de fonctionnement minimum : - 40 C
  • Température de fonctionnement maximum : + 150 C
  • Emballage : Plateau
  • Marque : Infineon Technologies
  • Type de produit : Modules d'IGBT
  • Série : Fossé/Fieldstop IGBT4 - E4
  • Sous-catégorie : IGBTs
  • Nom commercial : EconoPIM PressFIT
  • Poids spécifique : 300 g
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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces:
1