Achat HGTG11N120CND : La solution finale pour la commutation de haute puissance

Le pour - et - le contre de HGTG11N120CND : Est-il en valeur l'investissement ?

Recherchez-vous une solution de changement de haute puissance fiable ? Ne regardez pas autre que HGTG11N120CND. Ce dispositif est conçu pour manipuler les charges à haute tension et actuelles, lui faisant un favori parmi les enthousiastes et les experts électroniques.

Le pour :

- Capacités de manipulation à haute tension et actuelles

- Vitesse de changement rapide pour des performances optimales

- Basse tension de saturation de collecteur-à-émetteur pour le rendement énergétique

- Conception robuste et durable pour la durée de vie prolongée - compatible avec un grand choix d'applications électroniques

Le contre :

- Relativement cher comparé à quelques autres options de changement de haute puissance

- Peut exiger des connaissances techniques avancées d'installer et fonctionner correctement

De façon générale, HGTG11N120CND représente un investissement solide pour ceux nécessitant un dispositif de changement de haute puissance fiable. Avec l'excellents représentation et rendement énergétique, ce dispositif est sûr de fournir des résultats. Cependant, il est important de noter que son point des prix et impératifs techniques peuvent ne pas être idéaux pour tous les utilisateurs.

Détails techniques :

• Fabricant : onsemi
• Catégorie de produit : Transistors d'IGBT
• RoHS : Détails
• Technologie : SI
• Paquet/cas : TO-247-3
• Montage du style : Par le trou
• Configuration : Simple
• Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum : 1,2 kilovolts
• Tension de saturation de collecteur-émetteur : 2,1 V
• Tension maximum d'émetteur de porte : - 20 V, + 20 V
• Courant de collecteur continu à 25 C : 43 A
• Palladium - dissipation de puissance 298 W
• Température de fonctionnement minimum : - 55 C
• Température de fonctionnement maximum : + 150 C
• Série : HGTG11N120CND
• Emballage : Tube
• Marque : onsemi/Fairchild
• Collecteur continu
• Actuel : 55 A
• Courant de collecteur continu IC maximum : 43 A
• Courant de fuite de Porte-émetteur : +/- Na 250
• Taille : 20,82 millimètres
• Longueur : 15,87 millimètres
• Type de produit : Transistors d'IGBT
• Sous-catégorie : IGBTs
• Largeur : 4,82 millimètres
• Partie # noms d'emprunt : HGTG11N120CND_NL
• Poids spécifique : 6 390 g