Achat LKW40N120H3 pour la représentation puissante de l'électronique

Le pour - et - le contre du transistor LKW40N120H3

Recherche d'un transistor puissant pour augmenter votre représentation de l'électronique ? Considérez le LKW40N120H3. Ce transistor revendique une estimation à haute tension, le rendant idéal pour l'usage dans un grand choix d'applications, à partir de la commutation d'usage universel au contrôle de moteur. Un du plus grand pour du LKW40N120H3 est sa vitesse de changement rapide. Ceci signifie qu'il peut rapidement transition entre les états marche-arrêt, permettant la représentation efficace et fiable à travers une étendue des applications.

En plus, ses capacités de manipulation à forte intensité lui permettent de fonctionner facilement même dans des appareils électroniques exigeants. Cependant, il est important de noter que le LKW40N120H3 a quelques inconvénients potentiels. On est son coût relativement élevé comparé à d'autres transistors, qui peuvent ne pas lui faire le meilleur choix pour les acheteurs conscients du budget. En plus, il peut exiger l'essai étendu et l'accord pour assurer des performances optimales dans les systèmes électroniques complexes.

De façon générale, le LKW40N120H3 est un transistor puissant et fiable pour ceux qui regardent pour augmenter leur représentation de l'électronique. Tandis qu'il peut venir avec un plus haut prix à payer et exiger un certain effort supplémentaire pour optimiser, sa vitesse de changement rapide et capacités de manipulation à forte intensité le font bien intéressant considérer pour un large éventail d'applications.

Détails techniques :

• Fabricant : Infineon
• Catégorie de produit : Transistors d'IGBT
• Technologie : SI
• Paquet/cas : TO-247-3
• Montage du style : Par le trou
• Configuration : Simple
• Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum : 1,2 kilovolts
• Tension de saturation de collecteur-émetteur : 2,05 V
• Tension maximum d'émetteur de porte : - 20 V, + 20 V
• Courant de collecteur continu à 25 C : 80 A
• Palladium - dissipation de puissance : 483 W
• Température de fonctionnement minimum : - 40 C
• Température de fonctionnement maximum : + 175 C
• Série : Trenchstop IGBT4
• Emballage : Tube
• Marque : Infineon Technologies
• Courant de collecteur continu IC maximum : 80 A
• Courant de fuite de Porte-émetteur : Na 600
• Type de produit : Transistors d'IGBT
• Sous-catégorie : IGBTs
• Nom commercial : TRENCHSTOP
• Poids spécifique : 38 g