Module à grande vitesse IXGH48N60C3D1 de transistor d'IGBT pour la commutation 40-100kHz
Module à grande vitesse de transistor d'IGBT
,Module de changement de transistor d'IGBT
,IXGH48N60C3D1
Investissez dans IXGH48N60C3D1 pour l'électronique haute puissance
Le pour - et - le contre d'IXGH48N60C3D1
Êtes-vous sur le marché pour un transistor haute puissance pour votre projet de l'électronique ? Ne regardez pas autre qu'IXGH48N60C3D1. Ce transistor fiable de TNP IGBT offre plusieurs avantages, y compris :
Le pour :
- Gestion efficace de puissance : Avec une basse tension de saturation de collecteur-à-émetteur, ce transistor tient compte d'une gestion plus efficace de puissance dans des vos appareils électroniques.
- Estimation à forte intensité : À 48A, vous pouvez compter sur ce transistor pour manipuler même les charges électriques les plus exigeantes facilement.
- Conception durable : Construit pour résister aux températures ambiantes extrêmes (- 55°C à +175°C), ce transistor offre la fiabilité à long terme. Tandis que l'IXGH48N60C3D1 offre plusieurs avantages, il y a quelque contre à maintenir dans l'esprit, comme :
Le contre :
- Un coût plus élevé : Comme transistor haute puissance, l'IXGH48N60C3D1 vient avec un plus haut prix à payer que certaines de ses homologues à la force basse.
- Installation sophistiquée : L'installation et l'utilisation appropriées de ce transistor exige des connaissances techniques et des qualifications avancées.
De façon générale, si vous recherchez un transistor fiable et puissant pour votre projet de l'électronique, IXGH48N60C3D1 est un choix futé. Sa gestion efficace de puissance, estimation à forte intensité, et longévité lui font un choix populaire parmi les créateurs et les constructeurs expérimentés.
Détails techniques :
- Fabricant : XYS
- Catégorie de produit : Transistors d'IGBT
- RoHS : Détails
- Technologie : SI
- Paquet/cas : TO-247AD-3
- Montage du style : Par le trou
- Configuration : Simple
- Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum : 600 V
- Tension de saturation de collecteur-émetteur : 2,5 V
- Tension maximum d'émetteur de porte : - 20 V, + 20 V
- Courant de collecteur continu à 25 C : 75 A
- Palladium - dissipation de puissance : 300 W
- Température de fonctionnement minimum : - 55 C
- Température de fonctionnement maximum : + 150 C
- Série : IXGH48N60
- Emballage : Tube
- Marque : IXYS
- Courant de collecteur continu IC maximum : 75 A
- Taille : 21,46 millimètres
- Longueur : 16,26 millimètres
- Type de produit : Transistors d'IGBT
- Sous-catégorie : IGBTs
- Largeur : 5,3 millimètres
- Poids spécifique : 6 500 g