Transistors MOSFET performants de FQP8N60C

Éprouvez la puissance incomparable avec le FQP8N60C

Le FQP8N60C est un transistor MOSFET performant qui fournit la puissance et la représentation inégalées pour un large éventail d'applications électroniques. Avec son bas SUR la résistance et la capacité à forte intensité, ce transistor MOSFET est conçu pour manipuler même l'alimentation électrique la plus exigeante. Au coeur du FQP8N60C est une conception unique qui maximise l'efficacité et réduit au maximum la conduction et les pertes de changement. Ceci traduit en représentation améliorée et opération plus fiable, même dans des conditions extrêmes.

Comportant une construction robuste et des matériaux de haute qualité, ce transistor MOSFET est construit pour durer et résister aux environnements durs. Avec sa représentation exceptionnelle, le FQP8N60C est aller-au choix pour des concepteurs et des ingénieurs regardant pour optimiser leurs systèmes électroniques. Ainsi si vous recherchez un transistor MOSFET performant qui fournit la puissance et la représentation inégalées, ne regardez pas autre que le FQP8N60C.

De façon générale, la description de produit se concentre sur le performant et la fiabilité de FQP8N60C. Un en-tête clair et concis attirera l'attention des clients potentiels et fera le produit se tenir.

• Technologie : SI
• Montage du style : Par le trou
• Paquet/cas : TO-220-3
• Polarité de transistor : N-canal
• Nombre de canaux : La 1 Manche
• Vds - tension claque de Drain-source : 600 V
• Identification - courant continu de drain : 7,5 A
• Le RDS sur - la résistance de Drain-source : 1,2 ohms
• Vgs - tension de Porte-source : - 30 V, + 30 V
• Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source : 4 V
• Qg - charge de porte : 28 OR
• Température de fonctionnement minimum : - 55 C
• Température de fonctionnement maximum : + 150 C
• Palladium - dissipation de puissance : 147 W
• Mode de la Manche : Amélioration
• Série : FQP8N60C
• Emballage : Tube
• Marque : onsemi/Fairchild
• Configuration : Simple
• Temps de chute : 64,5 NS
• Transconductance en avant - minute : 8,7 S
• Taille : 16,3 millimètres
• Longueur : 10,67 millimètres
• Type de produit : Transistor MOSFET
• Temps de montée : 60,5 NS