transistor MOSFET de la puce IRFP250N d'IC de transistor de 200V 30A pour à haute tension et à forte intensité
Puce 200V d'IC de transistor
,puce d'IC du transistor 30A
,IRFP250N
Transistor MOSFET de puissance d'IRFP250N
La solution parfaite pour des applications à haute tension et à forte intensité
Recherchez-vous un transistor MOSFET fiable pour votre prochain projet électronique ? Ne regardez pas autre que le transistor MOSFET de puissance d'IRFP250N. Ce transistor MOSFET vient avec une foule d'avantages qui lui font la solution parfaite pour des applications à haute tension et à forte intensité.
Le pour :
- Capacité à haute tension de jusqu'à 200V
- La basse sur-résistance (0,07 ohms), le signifiant peut manipuler les niveaux à forte intensité
- Vitesse de changement élevée pour rapide et le fonctionnement efficace
- Conception durable et durable
- Facile à installer et intégrer dans les circuits existants
- Évaluation abordable, lui faisant une option rentable pour DIYers et professionnels de même
Le contre :
- Peut exiger le refroidissement supplémentaire pour empêcher surchauffer dans des applications de puissance élevée
- Non idéal pour des applications de basse tension
- Ne peut pas convenir aux applications l'exigence du contrôle extrêmement précis
En résumé, le transistor MOSFET de puissance d'IRFP250N est un excellent choix pour des applications à haute tension et à forte intensité. Sa capacité à haute tension, basse sur-résistance, et vitesse de changement rapide lui faire une option fiable et abordable pour DIYers et professionnels. Cependant, elle peut exiger le refroidissement supplémentaire et peut ne pas convenir à la basse tension ou aux applications fortement précises.
Caractéristiques techniques :
- Montage du style : Par le trou
- Paquet/cas : TO-247-3
- Polarité de transistor : N-canal
- Nombre de canaux : La 1 Manche
- Vds - tension claque de Drain-source : 200 V
- Identification - courant continu de drain : 30 A
- Le RDS sur - la résistance de Drain-source : 75 mOhms
- Vgs - tension de Porte-source : - 20 V, + 20 V
- Température de fonctionnement minimum : - 55 C
- Température de fonctionnement maximum : + 175 C
- Palladium - dissipation de puissance : 214 W
- Mode de la Manche : Amélioration
- Marque : Configuration d'Infineon/IR : Simple
- Temps de chute : 33 NS
- Taille : 20,7 millimètres
- Longueur : 15,87 millimètres
- Type de produit : Transistor MOSFET
- Temps de montée : 43 NS
- Sous-catégorie : Transistors MOSFET
- Type de transistor : 1 N-canal
- Temps de retard d'arrêt typique : 41 NS
- Temps de retard d'ouverture typique : 14 NS
- Largeur : unité de 5,31 millimètres
- Poids : 0,211644 onces