Transistor MOSFET puissant pour l'électronique à haute efficacité

Description IRF630 : Obtenez la grande représentation de votre circuit

Le transistor MOSFET IRF630 est un dispositif puissant qui fournit le rendement élevé et la représentation supérieure pour tous vos besoins de l'électronique. A conçu pour manipuler des tensions jusqu'à 200V et les courants jusqu'à 9.5A, ce transistor est parfait pour l'usage dans un large éventail d'applications, y compris les alimentations d'énergie, le contrôle de moteur, et les amplificateurs audio. Comportant une basses charge et sur-résistance de porte, l'IRF630 tient compte d'une commutation plus rapide et d'une puissance réduite, lui faisant un choix idéal pour des conceptions de rendement optimum. En plus, la construction rocailleuse du transistor MOSFET et la résistance à hautes températures assurer l'opération fiable dans même les conditions les plus intenses. Si vous êtes un enthousiaste ou un professionnel de l'électronique, le transistor MOSFET IRF630 est un excellent choix pour votre prochain projet.

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Caractéristiques techniques :

• Technologie : SI
• Montage du style : Par le trou
• Paquet/cas : TO-220-3
• Polarité de transistor : N-canal
• Nombre de canaux : La 1 Manche
• Vds - tension claque de Drain-source : 200 V
• Identification - courant continu de drain : 9 A
• Le RDS sur - la résistance de Drain-source : 400 mOhms
• Vgs - tension de Porte-source : - 20 V, + 20 V
• Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source : 2 V
• Qg - charge de porte : 31 OR
• Température de fonctionnement minimum : - 65 C
• Température de fonctionnement maximum : + 150 C
• Palladium - dissipation de puissance : 75 W
• Mode de la Manche : Amélioration
• Série : IRF630
• Emballage : Tube
• Marque : STMicroelectronics
• Configuration : Simple
• Transconductance en avant - minute : 3 S
• Taille : 9,15 millimètres
• Longueur : 10,4 millimètres
• Type de produit : Transistor MOSFET
• Temps de montée : 15 NS