IRFP4668PBF N-Channel MOSFET IC 200V 130A 520W Puce électronique IC
IRFP4668PBF
,IC MOSFET à canal N
,Puce électronique de transistor MOSFET IC
Infineon IRFP4668PBF MOSFET N-Channel - Puissance et efficacité élevées
L'IRFP4668PBF d'Infineon est un MOSFET N-Channel de haute puissance conçu pour offrir d'excellentes performances et une efficacité dans diverses applications.Il appartient à la série HEXFET® et convient à une utilisation en tant que FET unique dans les conceptions de circuits.Avec une tension de dégagement à la source (Vdss) de 200V, ce MOSFET peut gérer des niveaux de tension élevés, ce qui le rend approprié pour des applications exigeantes.Il a un courant de vidange continu (Id) de 130 A à 25 °C (avec la température du boîtier comme référence), ce qui permet de gérer une puissance robuste.
IRFP4668PBF N-Channel MOSFET par Infineon - Transistor robuste et à haute performance
L'IRFP4668PBF MOSFET est doté d'une faible résistance d'allumage (Rds On) de 9,7 mOhm à un courant de vidange (Id) de 81A et d'une tension porte-source (Vgs) de 10V.Cette faible résistance réduit les pertes de puissance et améliore l'efficacité globale du systèmeFonctionnant avec une tension de seuil de sortie de la porte (Vgs ((th)) de 5 V à une Id de 250 μA, ce MOSFET nécessite une tension d'entraînement allant jusqu'à 10 V pour des performances optimales.Il est doté d'une tension de sortie-porte maximale (Vgs) de ± 30 VL'IRFP4668PBF MOSFET a une charge de la porte (Qg) de 241nC à une tension de la porte-source (Vgs) de 10V.Ce paramètre indique la quantité de charge requise pour activer et désactiver efficacement le MOSFET.
Avec une capacité d'entrée (Ciss) de 10,720 pF à une tension de sortie à la source (Vds) de 50 V, ce MOSFET fournit une charge capacitive appropriée pour les circuits d'entraînement.Fonctionnant dans une large plage de températures allant de -55°C à 175°C (TJ), l'IRFP4668PBF peut résister à différentes conditions environnementales.Le MOSFET à canal N IRFP4668PBF d'Infineon est un produit actifAvec sa dissipation de puissance élevée de 520 W (Tc), il peut gérer efficacement des niveaux de puissance substantiels.
Caractéristiques techniques:
| Caractéristique | Spécification |
|---|---|
| Produit de fabrication | Infineon |
| Catégorie | Produits à base de semi-conducteurs discrets |
| Type de transistor | Les FET, les MOSFET |
| Série | HEXFET |
| Le paquet | Tuyaux |
| Statut du produit | Actif |
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | MOSFET (oxyde de métal) |
| Voltage d'écoulement vers la source (Vdss) | Pour les appareils électriques |
| Courant de drainage continu (Id) @ 25°C | Le nombre d'émissions de CO2 |
| Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) | 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Pour les appareils à commande numérique, la valeur de l'échantillon doit être égale ou supérieure à 0,7 mOhm. |
| Vgs(th) (maximum) @ Id | 5V @ 250μA |
| Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs | 241 nC @ 10V |
| Vgs (maximum) | ± 30 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds | 10720 pF @ 50V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | Pour les appareils à commande numérique |
| Température de fonctionnement | -55°C à 175°C (TJ) |
| Type de montage | À travers le trou |
| Emballage / boîtier | TO-247-3 |
| Numéro du produit de base | Résultats de l'enquête |